Ультра туруктуу беттик орнотулган PAR® Убактылуу чыңалуу баскычтары (TVS) DO-218AB SM8S
DO-218AB SM8S артыкчылыктары:
1. Химиялык оюу ыкмасынын технологиясына байланыштуу түз кесүүчү каражаттардын терс натыйжалары жок кылынат.
2. Тескери толкунда күчтүү, анткени аналогдоруна караганда чоңураак чип.
3. Ар кандай аба ырайында жана аймактарда өтө төмөн бузулуу
4. AEC-Q101 стандарты менен бекитилген
5. Диоддун функциялары оптималдаштырылган, PN түйүнүндөгү илимий коргоодон пайда алып келет.
БАШКЫ СИПАТТАРЫ:
VBR: 11,1 V - 52,8 V
VWM: 10 Вдан 43 Вга чейин
PPPM (10 x 1000 мкс): 6600 Вт
PPPM (10 x 10 000 мкс): 5200 Вт
PD: 8 Вт
IFSM: 700 A
TJ макс.: 175 °C
Полярдуулук: бир багыттуу
Пакет: DO-218AB
Чипти өндүрүүнүн жол-жоболору
1. Автоматтык басып чыгаруу（Ультра так автоматтык пластинка басып чыгаруу）
2. Автоматтык биринчи оюу（Автоматтык оюу жабдуулары，CPK>1,67）
3. Автоматтык полярдуулук тести (Так полярдуулук сыноо)
4. Автоматтык чогултуу （Өз алдынча иштеп чыккан Автоматтык так чогултуу）
5. Soldering (Азот жана суутек аралашмасы менен коргоо
Вакуумдук ширетүү)
6. Автоматтык экинчи оюу (Ультра таза суу менен автоматтык түрдө экинчи оюу)
7. Автоматтык чаптоо (Бирдиктүү жабыштыруу жана так эсептөө автоматтык так желимдөөчү жабдуулар менен ишке ашырылат)
8. Автоматтык жылуулук сыноо (Термикалык сыноочу тарабынан автоматтык түрдө тандоо)
9. Автоматтык тест (көп функционалдуу сыноочу)
